青海射线检测公司来电洽谈 纳克

CT检测射线源

在高能电子束转换为X射线的过程中，仅有小部分能量转换为X射线，大部分能量都转换成了热，焦点尺寸越小，阳极靶上局部功率密度越大，局部温度也越高。实际应用的功率是以阳极靶可以长期工作所能耐受的功率密度确定的。因此，小焦点乃至微焦点的的射线源的使用功率或大电压都要比大焦点的射线源低。电子辐射发生器的共同缺点是X射线能谱的多色性，这种连续能谱的X 射线会引起衰减过程中的能谱硬化，导致各种与硬化相关的伪像。

CT检测面探测器

面探测器主要有三种类型：高分辨半导体芯片、平板探测器和图像增强器。半导体芯片又分为CCD和CMOS。CCD对X射线不敏感，表面还要覆盖一层闪烁体将X射线转换成CCD敏感的可见光。

半导体芯片具有小的像素尺寸和大的探测单元数，像素尺寸可小到10微米左右，探测单元数量取决于硅单晶的大尺寸，一般直径在50mm以上。因为探测单元很小，信号幅度也很小，为了增大测量信号可以将若干探测单元合并。

CT检测X射线管

X射线管的设计有两种形式：开放管和闭合管。开放管顾名思义是开放式的，“这种技术要求在射线管内建立一定的真空度，利用两级真空泵不间断地运行来维持真空。”在这个过程中，大量的热量从射线管被转移到工作舱内。在某型情况下，工作舱内的温度甚至可高达60~70℃。而在闭合管上，热量由于被封闭在管内，不容易转移到工作舱内。而进一步配以合适的冷却系统（根据功率高低采用空冷或液冷），这一问题会得到较好的解决。所以

当选择X射线管形式时，要注意几个方面的因素，其中一个便是射线管的热量传导。